Новости электроники

Корейцы разработали полупроводниковый нейрон, настраивающий шум для избирательной обработки сигналов В электронных устройствах нерегулярные колебания сигналов обычно называют «шумом». Поскольку шум мешает точной обработке информации, в традиционных полупроводниковых технологиях его стараются уменьшить или устранить. Однако нейроны в человеческом мозге не всегда реагируют одинаково, даже на один и тот же стимул. Крошечные внутренние изменения в нейронах влияют на то, когда и как часто они возбуждаются, и эта вероятностная операция является одной из ключевых функций мозга по обработке информации. Исследователи KAIST разработали полупроводниковую технологию следующего поколения, которая не устраняет текущий шум, генерируемый в мемристорах, а вместо этого настраивает его на желаемый уровень и использует для обработки различных типов сигналов. В целом шум, возникающий в полупроводниках, считается препятствием для точной обработки сигналов. По этой причине большинство электронных устройств разрабатываются таким образом, чтобы максимально снизить или устранить шум. Однако человеческий мозг работает иначе. Нейроны, нервные клетки мозга, не всегда одинаково реагируют на один и тот же стимул из-за внутренних вероятностных флуктуаций. Эта непостоянность на самом деле помогает мозгу гибко реагировать на широкий спектр ситуаций и сенсорных сигналов. В этом исследовании научная группа использовала мемристор. Мемристор — это полупроводниковое устройство, которое меняет свое сопротивление в ответ на электрическую стимуляцию и запоминает это состояние. До сих пор шумы, возникающие в мемристорах, в основном использовались для генерации случайных чисел, то есть создания непредсказуемых чисел, или для вероятностных вычислений. Ключевая идея этого исследования заключается в том, что при изменении состояния сопротивления мемристора меняются величина и характер его шумового тока. Если задать определенное состояние сопротивления мемристора, вероятность генерации спайка и диапазон отклика могут меняться даже при одном и том же входном сигнале. Используя этот принцип, исследовательская группа создала «программируемый вероятностный нейрон» (ППН), который рассматривает шум не просто как нестабильность, а как ресурс обработки информации, который можно настроить нужным образом. Этот нейрон можно настроить так, чтобы он реагировал по-разному в зависимости от того, насколько быстро меняется входной сигнал, то есть от его частоты. Изменяя только сопротивление мемристора, можно настроить ту же схему так, чтобы она чутко реагировала на медленные сигналы человеческой активности в диапазоне герц (Гц) или на быстрые речевые сигналы в диапазоне килогерц (кГц). Гц и кГц — это единицы измерения, которые показывают, сколько раз сигнал повторяется в секунду: 1 кГц равен 1000 Гц. Проще говоря, один искусственный нейрон можно переконфигурировать в зависимости от скорости сигнала, который ему нужно обработать. При обработке медленно меняющихся сигналов, таких как движения человека, он может работать в режиме, подходящем для медленных изменений; при обработке быстро меняющихся сигналов, таких как речь, его можно настроить на эффективное улавливание коротких и быстрых изменений. Исследователи протестировали технологию на сигналах с различными частотными диапазонами. Система кодировала и классифицировала сигналы, связанные с двигательной активностью человека, в диапазоне герц, а речевые сигналы — в диапазоне килогерц, достигнув точности распознавания двигательной активности 94,8 % и распознавания речи 95 %. #новостиэлектроники Новости электроники МАХ I VK

США предложат государствам выбрать сторону в гонке ИИ с Китаем По информации Reuters, США готовятся заявить десяткам стран, что они должны выбрать сторону в гонке искусственного интеллекта с Китаем, предупредив, что они будут исключены из возглавляемой США коалиции в сфере ИИ, если присоединятся к конкурирующей инициативе Пекина. В прошлом году Вашингтон запустил инициативу Pax Silica, направленную на обеспечение безопасности цепочек поставок для моделей искусственного интеллекта, полупроводников и критически важных минералов в условиях ожесточённого технологического соперничества с Китаем. К коалиции присоединились около двух десятков стран, в том числе Казахстан — ключевой потенциальный источник критически важных полезных ископаемых, который также присоединился к коалиции Китая, а также ближайшие союзники США, такие как Япония, Австралия и Южная Корея. Проект письма, подготовленный Госдепартаментом, адресован 35 подписантам "Заявления о возможностях искусственного интеллекта" США, подписанного в июне, в которое входят члены необязывающей рамочной программы Pax Silica и другие страны, выразившие желание наладить сотрудничество в области искусственного интеллекта с Вашингтоном. Заставляя страны выбирать сторону, США надеются лишить Китай ресурсов в гонке за создание самого совершенного искусственного интеллекта, который может быть использован для достижения военного или экономического превосходства. В июле председатель КНР Си Цзиньпин учредил конкурирующую «Всемирную организацию по сотрудничеству в области искусственного интеллекта», продвигая «открытые» технологии своей страны как вызов влиянию США в этом быстро развивающемся секторе. На данный момент известно, что Казахстан — единственная страна, которая присоединилась к обеим инициативам, что вызывает тревогу в Вашингтоне. «Быть частью всего — значит не быть частью ничего». Подписание Декларации о «сверхпрочном мире» — это не просто членство, а обязательство», — говорится в письме, призывающем страны «делать осознанный выбор» в отношении ИИ. «Это не может сочетаться с участием в дублирующих инициативах, чьи ожидания противоречат нашим собственным», — говорится в письме, в котором конкретно не упоминается Китай. #новостиэлектроники #искусственныйинтеллект

С докладом «Имитация космического пространства в земных условиях» на конференции "Испытание и тестирование изделий электронной техники" 22 октября в Москве выступит Давид Аревшатян , руководитель московского офиса ООО НПП «Универсал Прибор» В докладе: Инженерные решения в термовакуумных камерах (ТХД) для имитации условий открытого космоса: имитация среды, геометрия рабочего объема, материалы. Системы термостатирования: компрессорные каскады против отдельностоящих жидкостных термостатов: компрессорные системы (прямое расширение хладагента), отдельностоящие термостаты (жидкостная циркуляция теплоносителя, например Huber Unistat. Дегазация оборудования и защита высоковакуумного тракта: проблема дегазации, шиберные затворы, криоловушки, термовакуумная дегазация. Алгоритм достижения пиковых значений глубокого вакуума и его удержание: ступенчатая откачка, удержание (базирование) вакуума, активный контроль. Сайт конференции: https://b2bconf.ru/testing/

Ученые создали новую основу для интегральной фотоники Разработка может способствовать развитию интегральной фотоники, внутричиповой оптической передачи сигналов и будущих квантовых технологий. Наноразмерная золотая антенна, размещенная на кристалле, может передавать инфракрасный свет по одному узкому каналу, даже если в материале нет физического волновода. Исследователи из 4-го физического института Штутгартского университета и Итальянского технологического института (IIT) в Милане продемонстрировали этот механизм на природном гиперболическом ван-дер-ваальсовом материале. Свет, исходящий из небольшого источника, обычно распространяется в виде круговых или сферических волновых фронтов, подобно ряби, расходящейся после удара камня о воду. Такое равномерное распространение является базовым свойством волн, но оно становится проблемой, когда фотонным устройствам нужно эффективно перемещать свет по определенному маршруту. Современные оптические системы решают эту проблему с помощью волноводов. Например, стеклянные волокна удерживают лазерный свет, позволяя ему распространяться на большие расстояния с минимальными потерями. В фотонных интегральных схемах используются волноводы гораздо меньшего размера, созданные с помощью литографических методов производства, таких как нанесение резиста, литография и травление. Производство этих наноструктур технически сложно и существенно увеличивает производственные затраты. Исследователи продемонстрировали еще один способ направления света без использования искусственного волновода, работая с двумерным материалом — оксидихлоридом молибдена (MoOCl₂). Они разместили на его поверхности наноразмерную золотую антенну и осветили ее инфракрасным лазером. Это привело к возникновению сильно локализованных оптических волн, которые распространялись только в одном направлении. Вместо того чтобы распространяться по всему материалу, свет оставался в узком канале. Его поведение напоминало свет, проходящий по невидимому волноводу, который естественным образом содержится внутри кристалла. MoOCl₂ — двухосный материал, то есть его оптические свойства резко различаются в зависимости от направления в кристалле. Вдоль одной оси он ведет себя как металл и поддерживает поверхностные плазмоны — коллективные электронные колебания, способные переносить электромагнитную энергию. Вдоль перпендикулярной оси материал ведет себя как диэлектрик и сильно ограничивает движение плазмонов. Эта резкая разница в зависимости от направления, известная как анизотропия, ограничивает распространение плазмонных волн узким маршрутом. Поскольку этот эффект напоминает движение воды по каналу, исследователи назвали его плазмонной канализацией. Форма и направление волн существенно менялись в зависимости от длины волны в инфракрасном диапазоне. При длине волны около 4 мкм исследователи наблюдали строго направленное канализированное распространение. Когда они увеличили длину волны до 5 мкм, волновой фронт вернулся к привычной кольцеобразной форме, напоминающей рябь, равномерно расходящуюся по воде. При длине волны 3 мкм он приобрел открытую гиперболическую форму. Канальное состояние можно представить как эллиптический волновой фронт, растянутый настолько, что фокусы эллипса фактически уходят в бесконечность. Изменив только длину волны возбуждения, исследователи перевели распространяющиеся волны в MoOCl₂ из открытой формы в закрытую, пройдя между ними критическое состояние канальной волны. Новости электроники МАХ I VK

Минпромторг запускает три ОКР по внедрению ИИ в цифровое, аналоговое и СВЧ-проектирование В рамках «дорожной карты» развития систем автоматизированного проектирования (САПР) для микроэлектроники планируется запуск опытно-конструкторских работ по внедрению искусственного интеллекта. Ранее планировали запустить эти работы после 2030 г По словам МНТЦ МИЭТ, внедрение ИИ прежде всего направлено на улучшение технических характеристик разрабатываемых инструментов и маршрутов в целом. Планируется развитие предшествующих задельных работ, например для решения задачи анализа шин питания. В рамках «дорожной карты» помимо ИИ реализуются и другие проекты по развитию САПР для микроэлектроники. В цифровом направлении уже завершен проект ФПИ «Обсидиан» — демонстратор технологии 180 нм, а также ведутся работы по ОКР «САПР Цифра-Б» для техпроцессов до 90 нм. В аналоговом направлении разрабатываются инструменты для техпроцессов 350–180 нм в рамках ОКР «САПР Аналог-Б» и до 130–65 нм в рамках ОКР «САПР Аналог-Р». Для СВЧ-проектирования создаются решения базового уровня («САПР СВЧ-Б») и следующего поколения («САПР СВЧ-Р»). Также ведется комплексный проект САПР для корпусирования СБИС, включая технологии flip chip, проволочный монтаж, интерпозеры, TSV и чиплеты. Подробнее: https://www.cnews.ru/news/top/2026-07-02_v_2029_godu_v_rossii_nachnut   #новостиэлектроники

Исследователи обнаружили, что китайские процессоры Loongson имеют негерметичные кэши  Исследователи из Немецкого Центра информационной безопасности имени Гельмгольца обнаружили, что процессоры китайской Loongson имеют негерметичные кэши, которые злоумышленники могут использовать для поиска определенных данных. Компания Loongson разработала собственную архитектуру набора команд (ISA) LoongArch, сочетающую в себе подходы, используемые в MIPS и RISC-V. На сайте LoongLeakAttack.com  исследователи объясняют, что обнаружили утечку данных из кэша с помощью фаззера, а затем заметили, что в руководстве по LoongArch ISA упоминается инструкция, которая оставляет 32 бита регистра памяти в «неопределённом» состоянии. «Наш анализ показал, что при определенных обстоятельствах “неопределенные” данные поступают из кэша данных L1, — написали четверо исследователей. — Поскольку этот кэш не изолирован между приложениями, механизм можно использовать для перехвата данных из различных программ и ОС. Более того, потенциальный злоумышленник может настроить внутреннее состояние процессора так, чтобы производить утечки нужных ему данных. В статье, посвященной их исследованию, (https://loongleakattack.com/loongleak_usenix26.pdf), авторы Лоренц Хеттерих, Тристан Хорнец, Фабиан Томас и Михаэль Шварц приводят примеры, которые «включают в себя восстановление ключей AES для всего диска из ядра, частичных хэшей паролей root из пользовательского пространства, а также обход традиционных программных средств защиты, таких как ASLR и стековые канарейки, — и все это за считаные секунды»

С докладом "Инфраструктура связи современного предприятия на базе частных LTE/5G сетей" на конференции "IIoT-2026" 10 сентября в Москве, выступит Павел Бахтеяров, руководитель Центра промышленной связи и отраслевой архитектуры ПАО МТС Сайт конференции: https://b2bconf.ru/iiot_2026/  #IIoT #IoT

Минпромторг оштрафовал АО «НПП «Исток» им. Шокина» на 86,4 млн руб. за срыв сроков разработки металлокерамических корпусов для СВЧ-транзисторов. Контракт на 268 млн руб. был заключен в 2017 г., но итоговый этап сдали с задержкой, превышающей полгода.  Речь идет об ОКР шифр «Корпус-И2-1» — разработке и освоении серийного производства серии металлокерамических корпусов для мощных СВЧ LDMOS кремниевых транзисторов с выходной мощностью до 1400 Вт (10 типов) и для мощных СВЧ биполярных импульсных транзисторов (6 типов). Корпуса должны были стать конструктивными аналогами зарубежных изделий — широкой номенклатуры от американских компаний MACOM и других производителей: SOT540A, SOT538A, Case465E-04, SOT1121A, SOT467C, SOT539A, SOT502A, PL124A1, P32C1, 375D-05, 55AW, 55KT, TO-270, TO-270WB-4, SOT-89, PLD-1.5W, CASE 355J-02 и корпуса транзистора IB1011S800ML. Подробнее: https://www.cnews.ru/news/top/2026-07-02_minpromtorg_oshtrafoval_istok #новостиэлектроники

Ученые  Квантового проекта госкорпорации "Росатом" впервые в России продемонстрировали кубитные операции на планарных ионных ловушках Планарные ловушки представляют собой тип электромагнитных ловушек, в которых электроды, генерирующие радиочастотные и постоянные электрические удерживающие поля, располагаются на плоскости - чипе. Такие устройства используются в квантовых вычислениях для удержания и контроля ионов. Они способны удерживать более 100 кубитов, позволяют интегрировать оптические элементы для манипулирования и считывания кубитов, а также создавать зоны с заданными свойствами для улучшения качества операций независимо от количества кубитов в регистре. Овладение планарной технологией означает качественный шаг в продвижении к промышленным ионным квантовым вычислителям, способным решать полезные индустриальные задачи. Планарные ловушки позволяют перейти от работы с единой цепочкой ионов к более сложным конфигурациям из нескольких небольших массивов, между которыми можно перемещать ионы. Это позволяет при увеличении количества кубитов избежать усложнения колебательных спектров и индивидуальной адресации. Подробнее: https://tass.ru/nauka/28007413 #квантовыетехнологии

C докладом «Входной контроль электронных компонентов на пластине и в корпусе» на конференции "Испытание и тестирование изделий электронной техники" 22 октября в Москве выступит Дмитрий Артемьев , начальник отдела функционального контроля Службы тестового оборудования ООО «Совтест АТЕ» Часть 1. Входной контроль компонентов на пластине (Wafer): Оптическая инспекция: автоматизированный контроль внешнего вида и геометрии пластин Зондовый контроль: применение автоматических зондовых установок и измерительных стендов (FT-17HF-768) для электрического контроля кристаллов. Тестовая оснастка: разработка и производство специализированных зондовых карт (УКФ) под уникальные задачи заказчика. Часть 2. Входной контроль компонентов в корпусе (борьба с контрафактом): Визуальный контроль: как система машинного зрения FT-Vision исключает «человеческий фактор», распознавая дефекты маркировки и геометрии выводов с точностью до 5 мкм. Функциональный контроль (ручной и автоматический): параметрическое тестирование на измерительных стендах (FT-17M, FT-17DT) для подтверждения соответствия электрических характеристик микросхем. Рентгеновский контроль: неразрушающий анализ внутренней структуры, контроль качества присоединения кристалла и межсоединений. Ультразвуковой контроль: применение сканирующих акустических микроскопов для поиска расслоений, пустот и выявления скрытой перемаркировки. Оснастка и автоматизация: использование сортировщиков и специализированной тестовой оснастки для потокового контроля больших объемов ЭКБ. Сайт конференции: https://b2bconf.ru/testing/

BBCube: новая технология «чип на пластине» для интеграции чипов искусственного интеллекта следующего поколения Новая платформа для интеграции полупроводников, разработанная в Токийском научном институте, сочетает в себе усовершенствованную компоновку чипов с межсоединениями высокой плотности и улучшенную систему терморегулирования. Такое сочетание трех взаимодополняющих технологий помогает решить ключевые проблемы, связанные с созданием высокопроизводительного оборудования для искусственного интеллекта. Благодаря более точному расположению чипов, более быстрой передаче данных и эффективному охлаждению эта технология открывает путь к созданию более мощных и энергоэффективных ускорителей ИИ и высокопроизводительных вычислительных систем. Искусственный интеллект (ИИ) стремительно меняет технологии, создавая растущий спрос на более быстрые и мощные вычислительные системы. Для удовлетворения этих потребностей требуются полупроводниковые чипы, способные обрабатывать огромные массивы данных на высокой скорости. Теперь вместо того, чтобы полагаться на отдельные чипы, производители делают упор на усовершенствованные полупроводниковые корпуса, которые объединяют несколько чипов в одном корпусе для повышения вычислительной производительности. Однако разместить эти чипы ближе друг к другу, обеспечив при этом эффективную связь и охлаждение, по-прежнему непросто. Исследовательская группа из отдела исследований гетерогенной и функциональной интеграции WOW Alliance, Института комплексных исследований и Токийского научного института разработали три основные технологии для создания BBCube  — полупроводниковой интеграционной платформы нового поколения для систем искусственного интеллекта. Их инновация была представлена на 76-й конференции IEEE по электронным компонентам и технологиям (ECTC) 2026 года, которая проходила во Флориде, США, с 26 по 29 мая 2026 года, и на Симпозиуме IEEE/JSAP по технологии и схемам СБИС 2026 года, который проходил на Гавайях, США, с 14 по 18 июня 2026 года. «Мы разработали три ключевые технологии, необходимые для продвинутой 2,5D- и 3D-интеграции: нашу запатентованную технологию чипов высокой плотности на подложке, технологию межсоединения чипов без перемычек и технологию многомасштабного термического анализа», — объясняют исследователи. Кроме того, исследователи разработали архитектуру межсоединений с высокой плотностью на основе технологии BBCubeTM. В рамках этой технологии сквозные кремниевые переходные отверстия (TSV) — крошечные вертикальные электрические каналы, формируемые после установки чипов, — соединяют чипы без использования металлических контактных площадок, которые требуются при традиционном корпусировании. Такая структура без контактных площадок позволяет разместить гораздо больше электрических соединений на ограниченной площади. Анализ показывает, что сочетание этих межсоединений с малым шагом и высокоточного размещения микросхем, описанного выше, при котором расстояние между микросхемами сокращается до 10 мкм, потенциально позволяет увеличить совокупную пропускную способность сигнала в 16 раз на той же площади межсоединений, сохраняя при этом качество сигнала, сравнимое с качеством сигнала в традиционных конструкциях с микровыступами. Еще одним серьезным препятствием было накопление тепла в плотно упакованной электронике. Чтобы решить эту проблему, исследователи с помощью моделирования продемонстрировали, как структура их полупроводниковой пластины снижает тепловое сопротивление примерно на 52%. Кроме того, они разработали метод многомасштабного теплового анализа, позволяющий оценить распределение тепла по всему чипу с разрешением 1 мкм, используя 100 миллионов точек анализа, что дает возможность точно оценить перспективные полупроводниковые технологии. Вместе эти три технологии образуют единую эффективную платформу для развития полупроводниковых систем следующего поколения. Новости электроники в МАХ I VK

Разработана технология массового производства антенн 6G на полупроводниковых пластинах   Исследовательская группа факультета электротехники и вычислительной техники Инженерного колледжа Сеульского национального университета разработала первую в мире технологию 6G-антенн с формированием диаграммы направленности, интегрированных в пластину.Технология получила название STARE. В ней антенны и радиочастотные полупроводниковые переключатели, которые управляют направлением радиоволн, изготавливаются одновременно на одной пластине.Обычно антенны и радиочастотные полупроводниковые чипы, которые управляют электромагнитными волнами, изготавливались отдельно, а затем собирались. Однако команде Сеульского национального университета удалось объединить обе функции на одной пластине. Подобно тому, как стиральная машина и сушилка объединяются в один прибор, новый подход позволяет производить два ранее отдельных компонента в рамках одного процесса изготовления полупроводников. Эта технология закладывает основу для производства антенных решеток сверхвысокой плотности, необходимых для 6G и спутниковой связи, в более компактных и экономичных форм-факторах.Полупроводники и антенны существенно различаются как по размеру, так и по методологии проектирования, что затрудняет их изготовление с помощью одного и того же технологического процесса. Полупроводниковые устройства обычно проектируются на нанометровом уровне, в то время как в антеннах 6G используются структуры миллиметрового уровня, определяемые длиной волны. Кроме того, программное обеспечение для проектирования полупроводников и программное обеспечение для электромагнитного моделирования антенн принципиально отличаются друг от друга, и до сих пор не существовало инструмента, который мог бы работать с обеими областями одновременно. Исследователям также пришлось столкнуться с проблемой высокой диэлектрической проницаемости и радиочастотных потерь кремния, а также с необходимостью использования дорогостоящих процессов для создания соединений в пластине.Чтобы преодолеть эти ограничения, исследовательская группа предложила новую архитектуру под названием STARE (Semiconductor Transmit Array with Reconfigurable Elements, «полупроводниковая передающая матрица с реконфигурируемыми элементами»). В то время как традиционные активные фазированные антенные решетки можно рассматривать как «сборное антенное устройство», в котором компоненты управления электромагнитными волнами по одному присоединяются к готовым антеннам, STARE — это «интегрированное полупроводниковое антенное устройство», в котором антенны и радиочастотные полупроводниковые переключатели изготавливаются одновременно на одной пластине. Поскольку количество дискретных компонентов не должно резко увеличиваться по мере роста антенной решетки, такая архитектура хорошо подходит для массового производства.Чтобы реализовать эту архитектуру, команда оптимизировала структуру полупроводникового радиочастотного переключателя и разработала методологию совместного проектирования, которая учитывает фактические измеренные характеристики устройства при электромагнитном проектировании. Это позволило спроектировать полупроводниковые компоненты и антенны как единую интегрированную систему.Исследователи также разработали новую архитектуру, в которой используется магнитная связь между металлическими структурами на противоположных сторонах пластины, что устраняет необходимость в дорогостоящих сквозных межпластовых соединениях. Это позволило снизить потери энергии и создать плоское устройство для управления лучом, в котором интегрированные полупроводниковые структуры не выступают над поверхностью. В финальном прототипе исследователи успешно продемонстрировали весь процесс — от проектирования и изготовления до электронного управления и фактического управления лучом.  Новости электроники МАХ I VK

Создан опытный образец самого передового в России литографа для производства чипов В России создана установка проекционного переноса изображений для производства интегральных схем с проектными нормами 130 нм. Оборудование разработал «Зеленоградский нанотехнологический центр» (ЗНТЦ) в кооперации с белорусским «Планар». АО «Зеленоградский нанотехнологический центр» (ЗНТЦ) завершил третий этап опытно-конструкторских работ по созданию фотолитографической установки с проектными нормами 130 нм. Акт сдачи-приемки этапа подписан 7 августа 2026 г. Оборудование предназначено для проекционного переноса изображения топологического рисунка интегральных схем на полупроводниковые пластины диаметром до 200 мм и мультипликации его на пластине при изготовлении сверхбольших интегральных схем (СБИС) с проектной топологической нормой 130 нм. В рамках работ изготовлены два опытных образца эксимерного лазера с длиной волны 193 нм. Также изготовлены фотошаблоны, тестовые структуры, стенд для измерения и контроля фотолитографических и аберрационных характеристик объективов на рабочих длинах волн, отработаны базовые технологические процессы. Работы сданы с опозданием. По графику третий этап ЗНТЦ должен был сдать в марте 2026 г., но фактически сдал в августе. На установке отработаны базовые технологические процессы. Подробнее: https://www.cnews.ru/news/top/2026-08-12_v_rossii_sozdan_opytnyj_obrazets #новостиэлектроники

Российские и индийские исследователи разработали подход, позволяющий получать высококачественные двумерные магнитные материалы, пригодные для создания высокочувствительных квантовых сенсоров и спинтронных вычислительных устройств Как отмечают разработчики этой технологии, исследователи из МФТИ, Российского квантового центра и Индийского института науки в Бангалоре (IISc), двумерные магнитные материалы сейчас рассматриваются как основа для сверхкомпактных спиновых транзисторов, квантовых сенсоров и устройств хранения данных нового поколения. Пока их разработке мешает то, что существующие методы получения этих материалов позволяют получать очень небольшие фрагменты длиной и шириной в несколько микрон. Исследователям из МФТИ, РКЦ и IISc удалось создать систему фильтров и специальный щит для нагревательных элементов печи, которые предотвращают окисление материала и позволяют получать пленки сантиметровых масштабов, плавно повышая температуру испарителя и осаждая хлорид хрома на специальную подложку из слюды. Последующее изучение полученных пленок подтвердило их высокое качество и показало, что их можно применять на практике. Подробнее: https://tass.ru/nauka/28006693

С докладом "IoT под рентгеном. Как на самом деле выглядят живые проекты сквозь призму суровой реальности, экстремальных условий и инженерных факапов" на конференции "IIoT-2026" 10 сентября в Москве, выступит Денис Муравьев, генеральный директор компании GoodWAN. Сайт конференции: https://b2bconf.ru/iiot_2026   #IIoT

Росэлектроника масштабировала программно-аппаратный комплекс систем автоматизированного проектирования (ПАК САПР), объединив отечественные инструменты 2D/3D-моделирования и инженерных расчетов в режиме «одного окна» Обновленная платформа охватывает весь жизненный цикл изделия – от конструкторской разработки до управления эксплуатацией. На данный момент в ПАК САПР интегрированы отечественные конструкторские системы T-FLEX CAD и КОМПАС-3D для создания 3D-моделей и чертежей, платформа Delta Design для проектирования печатных плат, а также расчетные комплексы ЛОГОС и ГАММА. Последние позволяют проводить виртуальные прочностные и физические испытания изделий еще до создания дорогостоящих реальных прототипов. Таким образом, решение обеспечивает промышленным предприятиям сквозной цикл разработки сложных изделий без использования зарубежного ПО. #новостиэлектроники

ООО НПП «Универсал Прибор» — Флагманский Партнер конференции «Испытание и тестирование изделий электронной техники»   ООО НПП «Универсал Прибор» – один из лидеров в области производства и поставок высокотехнологичного оборудования для испытаний и тестирования в России. Компания специализируется на разработке и изготовлении испытательных камер для воздействия экстремальных температур, влажности, а также глубокого вакуума с давлением до 10⁻⁶ мм рт. ст. На протяжении более 30ти лет «Универсал Прибор» успешно сотрудничает с ведущими промышленными предприятиями, научно-исследовательскими центрами и лабораториями, решая сложные технические задачи в области испытаний, тестирования и контроля.   Сайт компании: https://www.pribor.ru/  Конференция пройдет 22 октября в Москве Сайт конференции: b2bconf.ru/testing/

Бывший сотрудник ASML помог создать Китаю важнейший источник света EUV для литографии Китай еще на один шаг приблизился к разработке собственного передового оборудования для производства чипов. Исследовательская группа, возглавляемая бывшим научным сотрудником ASML Лин Нанем, добилась прогресса в разработке источника света EUV, важнейшего компонента для производства ультрасовременных чипов.Современные чипы производятся путем нанесения чрезвычайно мелких рисунков на кремниевую пластину. Для этой цели ASML использует так называемые EUV-машины. EUV расшифровывается как экстремальный ультрафиолетовый свет, который позволяет создавать детали гораздо меньшего размера, чем при использовании более старых технологий.В прошлом году китайские исследователи уже разработали экспериментальный EUV-источник света с эффективностью преобразования 3,42 процента. Это означает, что 3,42 процента энергии используемого лазера преобразуется в полезный EUV-свет.Это сильный результат для исследовательской организации. Он даже превосходит предыдущие достижения нескольких западных исследовательских центров. Тем не менее, коммерческие системы ASML на протяжении многих лет достигали значительно более высокой эффективности преобразования. Кроме того, они производят гораздо больше света.Китайский источник света обладает мощностью от 100 до 150 Вт. Современные коммерческие EUV-аппараты выдают около 600 Вт. Это различие важно, потому что более мощный источник света позволяет фабрике производить больше микросхем за тот же промежуток времени. ASML ожидает, что в этом году будет поставлено около шестидесяти аппаратов EUV, а также работает над еще более мощными источниками света мощностью 1000 Вт.Лин Нань ранее работал в ASML в Нидерландах, где он участвовал в разработке источников света для измерительного оборудования. Этот опыт сейчас играет важную роль в китайской исследовательской программе.Однако EUV-машина — это гораздо больше, чем просто мощный источник света. Также необходимы высокоточные зеркала, передовые системы движения и сложное программное обеспечение. Все эти компоненты должны работать вместе почти безупречно в масштабе нескольких нанометров. Китае теперь есть рабочий прототип, который может генерировать EUV-излучение. Однако машина пока не способна производить пригодные для использования чипы. Оптические системы, которые ASML разрабатывает совместно с немецкой компанией Zeiss, по-прежнему являются серьезной технической проблемой для Китая . #новостиэлектроники #литография

Российский альянс RISC-V, объединяющий крупнейшие компании в области электроники (входят «Сбер», «Аквариус», Yadro, «Байкал Электроникс», ГК «Элемент» и др.), попросил Минэкономразвития исключить верхний предел по выручке для получения малыми технологическими компаниями статуса «технологический лидер» Авторы инициативы полагают, что ограничения статуса по выручке не позволят компаниям развивать капиталоемкие направления. Тем не менее такие компании уже обладают значительными ресурсами, поэтому льготы для них должны быть привязаны именно к объему собственных технологических разработок, а не к формальному статусу, считают эксперты. Подробнее: https://www.kommersant.ru/doc/8877497 #новостиэлектроники