Электронное машиностроение

🇰🇷 Samsung представила новые архитектуры 3D-памяти с технологией соединения пластин На конференции Future of Memory and Storage (FMS) 2026 Samsung показала три направления развития трехмерной памяти: • zHBM • zNAND-O • V10 BV-NAND 🆕 Общий технологический принцип заключается в переходе от размещения функциональных блоков рядом друг с другом к их вертикальной интеграции с использованием соединения пластин и кристаллов. 🔹 В архитектуре zHBM стек HBM размещается непосредственно над ИИ-ускорителем, а не рядом с ним. Это сокращает длину соединений между вычислительным кристаллом и памятью. По оценке Samsung, система на базе zHBM потенциально может обеспечить до 8 раз более высокую производительность по сравнению с HBM5, более чем в 10 раз увеличить плотность памяти, повысить энергоэффективность втрое и снизить тепловое сопротивление более чем на 50%. Компания также предусматривает возможность интеграции заказной логики в промежуточный слой между памятью и ускорителем. 🔹Еще одно направление, zNAND-O, предназначено прежде всего для периферийных ИИ-систем. Архитектура предусматривает вертикальное объединение четырех или восьми кристаллов V-NAND с использованием TSV. Samsung указывает пропускную способность 200–400 ГБ/с и задержку чтения менее 3 мкс. За счет размещения NAND ближе к вычислительной логике компания рассчитывает уменьшить задержки и энергозатраты на передачу данных. Пока zHBM и zNAND-O остаются концепцией, сроки коммерческого внедрения Samsung не раскрывает. 🔹 V10 BV-NAND является десятым поколением V-NAND компании. В предыдущих поколениях ячейки памяти и периферийные схемы формировались на одной пластине. В V10 они изготавливаются раздельно на двух пластинах, после чего соединяются. Такой подход снижает структурные ограничения при дальнейшем увеличении количества слоев и позволяет использовать для периферийных схем отдельный, более подходящий технологический процесс. V10 BV-NAND содержит более 400 слоев и обеспечивает примерно на 58% более высокую плотность хранения по сравнению с V9. Samsung также заявляет об улучшении времени программирования на 45% и увеличении скорости интерфейса на 33%. 📚 Три разработки используют разные подходы к вертикальной интеграции. В zHBM Samsung применяет гибридное соединение меди (Hybrid Copper Bonding, HCB) и соединение нескольких пластин (Multi-Wafer Bonding), в zNAND-O — трехмерную сборку кристаллов с TSV, а в V10 BV-NAND — соединение отдельных пластин с массивом ячеек памяти и периферийными схемами. В случае V10 технология соединения пластин становится частью непосредственно процесса формирования NAND, а не только последующей сборки и корпусирования микросхем. 💬 Электронное машиностроение в МАХ #ЭлМаш #технологии #Samsung

🇺🇸 США вводят минимальные импортные цены на поликремний и 15%-ные пошлины на продукцию его переработки ✍️ Президент США Дональд Трамп подписал прокламацию, согласно которой с 4 декабря 2026 года в стране начнет действовать система минимальных импортных цен: • $21/кг для поликремния; • $100/кг для слитков и пластин; • $0,22/Вт для солнечных элементов; • $0,38/Вт для солнечных модулей. Если заявленная при ввозе стоимость окажется ниже установленного порога, импортер должен будет уплатить дополнительный сбор в размере разницы между фактической и минимальной ценой. На импорт слитков, пластин, солнечных элементов и модулей дополнительно вводится пошлина 15%. Белый дом связывает меры с устойчивостью американской полупроводниковой цепочки. По данным Минторга, доля США в мировых мощностях по выпуску поликремния сократилась с 50% в 2005 году до менее 2% в 2024-м, а доля страны в мировом производстве полупроводниковых пластин — с 37% в 1990 году до 10% в 2024-м. Одновременно с 2020 года мировое производство поликремния выросло более чем на 270%, а запасы к концу 2024 года достигли рекордных 400 тыс. т. 💿 При этом поликремний полупроводникового качества сегодня составляет лишь около 2,4% мирового производства этого материала. Основной объем приходится на поликремний для солнечной энергетики. Американская администрация исходит из того, что крупнотоннажный выпуск материала для солнечной промышленности обеспечивает загрузку предприятий и снижает удельные издержки, позволяя экономически поддерживать параллельное производство сверхчистого поликремния для микроэлектроники. ⚙️ Прокламация также предусматривает отдельную программу стимулирования локализации. Компании, обязавшиеся построить, модернизировать или расширить в США производство поликремния, слитков, пластин или солнечных элементов и начать строительство не позднее 20 января 2029 года, смогут претендовать на освобождение от пошлин при импорте необходимого производственного оборудования и материалов. Объем льгот будет привязан к масштабу новых производственных мощностей и выполнению заявленного графика проекта. 💬 Электронное машиностроение в МАХ #ЭлМаш #технологии #ChipsAct

🌐 По данным SEMI, мировые поставки кремниевых пластин выросли на 7,4% во II квартале 2026 года Во II квартале производители отгрузили 2,31 млрд кв. мм кремниевых пластин, что на 7,4% больше, чем годом ранее, и на 9,1% больше результата I квартала. Показатель стал максимальным с начала 2023 года. Всего за первое полугодие поставки достигли 4,42 млрд кв. мм, увеличившись примерно на 10% по сравнению с аналогичным периодом 2025 года. 💿 Основным источником роста остается инфраструктура ИИ, однако спрос уже выходит за пределы логических интегральных схем и микросхем памити с высокой пропускной способностью (HBM). SEMI отмечает увеличение потребности в пластинах для силовых приборов, фотоники и других компонентов, используемых в дата-центрах. Параллельно постепенно восстанавливаются промышленный и автомобильный сегменты. 📈 Восстановление спроса идет неравномерно. Спрос со стороны ИИ-инфраструктуры продолжает расти, тогда как высокие цены на память сдерживают рынки персональных компьютеров и смартфонов. При этом производители микросхем продолжают расширять мощности, поэтому SEMI ожидает дальнейшего увеличения поставок кремниевых пластин. 🧮 Показатель SEMI рассчитывается по суммарной площади отгруженной продукции и включает полированные, эпитаксиальные и неполированные кремниевые пластины, поставленные производителям полупроводников. Пластины для солнечной энергетики в статистику не входят. 💬 Электронное машиностроение в МАХ #ЭлМаш #технологии #SEMI

Электронное машиностроение pinned a file

📍 ШЕСТОЙ ВЫПУСК БЮЛЛЕТЕНЯ АНАЛИТИЧЕСКОЙ ИНФОРМАЦИИ 📢 Представляем вашему вниманию новый выпуск бюллетеня, посвящённый полупроводниковым пластинам и специальным подложкам для микроэлектроники. 📊 На основе данных SEMI и Yole Group мы проанализировали текущее состояние мирового рынка пластин, технологические тренды и динамику цен. Особое внимание уделено оборудованию для полного цикла производства пластин — от выращивания монокристаллов до финишной очистки. 📌 В выпуске вы узнаете: 🔹 историю развития технологий производства пластин и переход к 300-мм формату 🔹 какие материалы сегодня используются в микроэлектронике 🔹 тренды мирового рынка пластин и оборудования для их производства 🇷🇺 Особое место в выпуске отведено российским разработкам: 🔹 интервью с техническим директором компании ЛАССАРД Николаем Николаевичем Алленовым 🔹 обзор российских разработок оборудования 📰 Традиционно завершает выпуск дайджест отраслевых новостей за апрель–июнь 2026 года. Оставайтесь с нами — впереди ещё много интересного!

🇺🇸 Intel ускоряет вывод техпроцесса с топологическими нормами 1,4 нм: массовое производство 14A теперь ожидается уже в 2028 году — на год раньше предыдущих планов. Год назад Intel предупреждала, что может отказаться от 14A, если не найдёт крупного внешнего заказчика. Первый такой заказчик появился в апреле: Tesla заявила о планах выпускать на 14A микросхемы для своего ИИ-комплекса Terafab в Остине. 📊 По заявлениям компании, 14A опережает график по двум ключевым метрикам: плотности дефектов и характеристикам транзисторов — оба показателя лучше, чем были у 18A на сопоставимой стадии. Отдельно отмечен выход годных на тестовой структуре 256-битной SRAM. PDK 0.5 (комплект средств проектирования, используемый заказчиками для начала разработки микросхем) уже готов, PDK 0.9 ожидается в октябре. Основой 14A станет второе поколение транзисторов RibbonFET с архитектурой RibbonFET 2 и система питания PowerDirect. В отличие от технологии PowerVia, где питание подается с тыльной стороны пластины через отдельную сеть металлизации, PowerDirect предусматривает непосредственную подачу питания к областям истока и стока транзисторов. По данным Intel, это позволяет дополнительно снизить сопротивление межсоединений и повысить эффективность распределения питания. ⚙️Одновременно Intel подтвердила планы по техпроцессу 18A: риск-производство уже началось, а запуск серийного производства ожидается до конца 2026 года. На этих проектных нормах уже выпускаются процессоры Panther Lake, а также готовится следующее поколение — Wildcat Lake. Начато пробное производство улучшенной версии 18A-P. 💰 Экономические показатели производства 18A улучшается по мере отработки процесса: себестоимость базовой модификации Panther Lake с начала года снижена примерно вдвое, до конца года ожидается ещё −20%. По мере роста выхода годных Intel рассчитывает вывести маржинальность Panther Lake выше среднего по компании. Таким образом, компания пытается одновременно сократить отставание от TSMC по графику освоения передовых топологических норм и сделать ставку на более раннее внедрение новых производственных технологий. 💬 Электронное машиностроение в МАХ #ЭлМаш #технологии #Intel

⚙️ В НИИТМ разработали компактную версию установки Эпиквар ТМ – Эпиквар ТМ Мини. Новая разработка также предназначена для изготовления эпитаксиальных структур и осаждения поликремния на пластины диаметром 76 и 100 мм и рассчитана на задачи мелкосерийного производства и проведение научных исследований. 🚀 Среди основных преимуществ Эпиквар ТМ Мини: 🔴уменьшенные габариты и масса установки; 🔴сниженное энергопотребление не более 80 кВт, что позволяет сократить себестоимость производства; 🔴более доступная стоимость по сравнению с Эпиквар ТМ. ✨ Установка Эпиквар ТМ Мини позволяет обрабатывать одновременно 24 пластины диаметром 76 мм или 12 пластин диаметром 100 мм. Диапазон рабочих температур от 300 до 1250 ºС. Оборудование позволяет проводить технологический процесс как в автоматическом, так в ручном режиме. Узнать о том, какую установку – Эпиквар ТМ или Эпиквар ТМ Мини – вам следует выбрать, можно, отправив ваше ТЗ на marketing@niitm.ru. Наши специалисты подберут для вас оптимальное решение и помогут определить конфигурацию оборудования с учётом ваших потребностей и задач. @NIITM_official | Новость на сайте | Наше сообщество ВК

🇩🇪 Zeiss SMT открыл первый корпус расширенного производства EUV-оптики в Оберкохене 🏗️ ZEISS SMT завершила первый этап расширения своей основной площадки в Оберкохене, где выпускается высокоточная оптика для литографических систем ASML. Строительство нового офисного корпуса стартовало в мае 2022 года. В дальнейшем компания будет поэтапно вводить производственные здания. Общая площадь новых производственных и вспомогательных помещений составит около 25 тыс. м². 📍 Оберкохен и Вецлар остаются единственными площадками в мире, способными выпускать комплектные оптические системы для сканеров ASML. ZEISS является единственным поставщиком зеркал, линз, осветительных систем, коллекторов и ряда других критически важных оптических компонентов. В 2025 году объем закупок ASML у ZEISS SMT и связанных с ней компаний достиг примерно 4,8 млрд долл. США против 4,3 млрд долл. США в 2024 году и 3,6 млрд долл. США в 2023 году. 📈 Расширение площадки напрямую связано с планами ASML нарастить выпуск EUV-оборудования. В 2026 году компания рассчитывает поставить около 65 сканеров Low-NA EUV, а в 2027 году увеличить соответствующие мощности примерно на 30%. Еще одно увеличение на 30% рассматривается на 2028 год. Параллельно ASML сокращает цикл сборки литографических установок примерно с 22 до 15–16 недель, поэтому производительность ZEISS становится одним из ключевых ограничений для дальнейшего роста выпуска. ☝️ При этом в годовом отчёте ASML прямо указывается, что количество систем, которые компания способна производить, ограничено производственными мощностями ZEISS SMT. Фактически именно немецкая площадка выступает узким местом всей цепочки EUV-сканеров, определяя верхний предел масштабирования выпуска. 🪩 Особенно сложным остается производство оптики для High-NA EUV. Проекционная система содержит более 40 тыс. компонентов, весит около 12 т и примерно в семь раз превосходит стандартную EUV-оптику по массе и объему. Осветительная система включает еще около 25 тыс. деталей и весит 6 т. Отдельные зеркала весят несколько сотен килограммов, примерно вдвое крупнее и в десять раз тяжелее зеркал современных EUV-систем. Для их проверки используется специальная вакуумная камера размером 5 × 10 м, которая состоит более чем из 100 тыс. деталей и весит свыше 150 т. Новые площади позволят ZEISS вести больше производственных и контрольных операций параллельно. Однако само расширение не сокращает многомесячную механическую обработку, нанесение покрытий и аттестацию оптических элементов, поэтому оптика продолжит определять предельные темпы масштабирования выпуска EUV-сканеров. 💬 Электронное машиностроение в МАХ #ЭлМаш #технологии #EUV #ZEISS #ASML

🇩🇪 Компания PVA TePla и Институт Фраунгофера IISB создают совместную лабораторию по выращиванию кристаллов нитрида алюминия (AlN). Впервые в Европе налаживается мелкосерийный выпуск монокристаллических подложек AlN диаметром 2 дюйма для задач НИОКР. Нитрид алюминия считается одним из наиболее перспективных сверхширокозонных полупроводников для следующего поколения силовой, высокочастотной и фотонной электроники, а также устройств, работающих в экстремальных условиях. Однако широкому внедрению AlN пока препятствует дефицит качественных крупноформатных и доступных по цене подложек, пригодных для изготовления приборов. ⚙️ В рамках совместной лаборатории Fraunhofer IISB будет использовать собственную технологию физического переноса вещества из паровой фазы (PVT) для выращивания 2-дюймовых монокристаллов AlN. Процесс проходит при температуре свыше 2000 °C: порошок нитрида алюминия испаряется в тигле и осаждается на затравочный кристалл. PVA TePla поставила для этого установки PVT, уже применяемые для выращивания 8-дюймовых монокристаллов карбида кремния (SiC) и адаптированные под AlN. 🔬 В IISB кристаллы проходят обработку до состояния epi-ready, после чего через компанию LZE GmbH поступают разработчикам для использования в промышленных НИОКР и масштабировании технологий. Параллельно IISB работает над технологией 4- и в перспективе 6-дюймовых пластин AlN. 🇪🇺 Главная задача проекта — наладить стабильное мелкосерийное производство 2-дюймовых подложек, повысить воспроизводимость процесса, увеличить выход годных и снизить себестоимость. Стратегическая цель партнёрства — сосредоточить в Европе компетенции по сверхширокозонным полупроводникам, которые сейчас распределены между отдельными исследовательскими группами и не подкреплены собственным производством подложек. В PVA TePla прямо называют AlN следующим после SiC технологическим поколением и рассчитывают выйти к нему с готовым оборудованием и отработанными процессами раньше конкурентов. 💬 Электронное машиностроение в МАХ #ЭлМаш #технологии #нитридалюминия

🇮🇳 Индия утвердила программу Semicon 2.0 с бюджетом свыше 13 млрд долл. США, расширяющую меры поддержки национальной полупроводниковой отрасли 📜 Кабинет министров Индии 15 июля 2026 года утвердил программу Semicon 2.0 — второй этап государственной поддержки полупроводниковой отрасли, запущенной для снижения зависимости от импорта. Первый этап, запущенный в 2021 году, первоначально оценивался примерно в 10 млрд долл. США. Одновременно была одобрена отдельная программа поддержки производства мобильных телефонов на 6,5 млрд долл. США, рассчитанная на 2026/27–2030/31 финансовые годы. 💸 На первом этапе действия программы государство возмещало 50% капитальных затрат по любому проекту. Semicon 2.0 отказывается от единой ставки в пользу дифференцированной, при этом уровень поддержки производства снижается: — кремниевые фабрики — 40% капзатрат; — фабрики по производству полупроводников на основе соединений (compound semiconductors) и дисплеев — до 35%; — передовое корпусирование — до 35%; — традиционное корпусирование — до 25%. 🆕 Одновременно вводится новая категория получателей: производители оборудования для выпуска микросхем, а также материалов, химикатов и технологических газов получат до 30% капитальных затрат. На первом этапе этот сегмент под господдержку не подпадал. Поддержка предоставляется в форме прямых капитальных грантов: государство софинансирует вложения одновременно с инвестором. Это отличает индийскую модель от Кореи и Тайваня, где преобладают налоговые вычеты и субсидирование операционных расходов, и сближает её с японской практикой адресных грантов. Если предыдущий этап был сосредоточен главным образом на запуске фабрик, то Semicon 2.0 расширяет охват господдержки на всю цепочку создания стоимости. Новые инициативы касаются следующих направлений: 📋 Проектирование. В проектировании акцент сделан на создании собственных IP-блоков, законченных проектов микросхем и систем на кристалле. 🔬 НИОКР. Индия нацелена на переход от освоенных технологий диапазона 28–110 нм к более передовым топологическим нормам и другим перспективным технологиям в сотрудничестве с исследовательскими центрами внутри страны и за рубежом. 🧩 Корпусирование. Программа ориентирована на привлечение в страну компаний, специализирующихся на передовом корпусировании. 👩‍🏫 Подготовка кадров. Один из приоритетов новой программы – углубление подготовки на уровне вузов и участие индустрии в обучении работе в чистых помещениях и строительству фабрик. По итогам первого этапа Semicon 1.0 правительство Индии одобрило создание 12 производственных проектов с совокупным объёмом инвестиций более 17 млрд долл. США: одна кремниевая фабрика, одна фабрика производства полупроводников на основе карбида кремния, интегрированная фабрика микро-LED-дисплеев на нитриде галлия и девять предприятий корпусирования. Коммерческое производство в стране уже начали три компании — Micron, Kaynes Semicon и CG Semi, ещё одно предприятие должно выйти на этот этап в 2026 году. 📈 Объём рынка микросхем в Индии вырос примерно с 38 млрд долл. США в 2023 году до оценочных 45–50 млрд в 2024–2025 годах. Целевой показатель правительства — 100–110 млрд долл. США к 2030 году. 💬 Электронное машиностроение в МАХ #ЭлМаш #технологии #Индия

⚙️ НИИТМ изготовил и поставил заказчику установку эпитаксии из твёрдого источника Эписэнд ТМ. 🏗️ Эписэнд ТМ входит в линейку оборудования выращивания эпитаксиальных структур ЭПИ ТМ и предназначен для нанесения сверхтолстых слоёв поликристаллического кремния методом «сэндвич»-эпитаксии. Установка обеспечивает индукционный ВЧ-нагрев до 1300 градусов Цельсия. 🚀 Преимущества: 🔴 Высокое качество получаемых поликристаллических слоёв. 🔴Большая производительность за счет одновременной обработки до 4-х пластин диаметром 100 мм. 🔴Модернизированная двухпозиционная система загрузки на 2 лодочки (каждая с графитовой платформой). 🔴Усовершенствованный дизайн для повышения удобства эксплуатации и обслуживания установки. 🔴Экологичность и безопасность оборудования благодаря жидкостному скрубберу производства НИИТМ для нейтрализации отработанных продуктов и уменьшения вредных выбросов в атмосферу. 🔴Возможность встраивания в чистую комнату. ➡️ Узнайте больше о линейках специального технологического оборудования НИИТМ.   Подбор оборудования: 1️⃣Отправьте ТЗ на почту marketing@niitm.ru. 2️⃣Получите индивидуальное решение под задачи вашего производства или лаборатории. @NIITM_official | Новость на сайте | Наше сообщество ВК

🌐 SEMI прогнозирует рост инвестиций в оборудование для производства микросхем памяти на 300-мм пластинах при этом из-за усложнения техпроцессов выпуск пластин почти не увеличится 📈 По прогнозу SEMI, представленному в свежем выпуске отчёта 300mm Fab Outlook, мировые инвестиции в оборудование для фабрик, выпускающих микросхемы памяти на 300-мм пластинах, впервые превысят отметку $50 млрд долл. США: в 2026 году они вырастут на 29% до $52 млрд долл. США, а в 2027-м — ещё на 11% до $57 млрд долл. США. Затраты на оборудование для производства DRAM в 2026 году вырастут на 29% до $37 млрд долл. США — на фоне высокого спроса на микросхемы памяти с высокой пропускной способностью (HBM) и DDR5 для графических процессоров и других ИИ-ускорителей. Инвестиции в оборудование для 3D NAND увеличатся на 28% до $14 млрд долл. США, что связано с ростом потребностей в хранении данных при внедрении ИИ. Повышение прогноза в SEMI объясняют продолжающимся наращиванием капитальных затрат ведущими облачными провайдерами. 📀 При этом производственные мощности увеличатся несопоставимо скромнее: с 4,1 млн пластин в месяц в 2026 году до 4,2 млн в 2027-м, то есть лишь на 2%. При этом эффективный рост мощностей сдерживается миграцией на новые технологии и усложнением процессов — переходом на передовые нормы DRAM, HBM и 3D NAND с большим числом слоёв. Разрыв между темпами роста вложений и выпуска объясняется усложнением технологий: переход на передовые нормы DRAM, освоение HBM и 3D NAND с большим числом слоёв требуют всё больше капиталоемкого оборудования на каждую выпускаемую пластину. 💬 Электронное машиностроение в МАХ #ЭлМаш #технологии #SEMI

⚙️ Установка ПЛАЗМА ТМ 7 отгружена заказчику АО НИИТМ завершило поставку заказчику вакуумной установки плазмохимического травления оксида кремния ПЛАЗМА ТМ 7. 🏗️ ПЛАЗМА ТМ 7 входит в линейку оборудования плазмохимического травления диэлектрических слоёв и полупроводниковых материалов ПЛАЗМА ТМ. 🚀 Преимущества: 🔴Адаптивность: может быть применена для обработки пластин диаметром 100-150 мм без сложной перенастройки транспортного робота 🔴Универсальность – подходит для широкого спектра производственных процессов 🔴Высокая герметичность рабочей камеры 🔴Стабильность работы в агрессивных средах 🔴Повышенная точность и воспроизводимость благодаря встроенной оптической системе определения окончания процесса травления. ✨ Установка гарантирует высокую степень надёжности в сочетании с высокой скоростью травления оксида кремния (SiO₂) от 300 нм/мин.   ✅ В зависимости от выбора эксплуатационных газов возможно травление различных материалов:   🔴нитрид кремния (Si₃N₄) 🔴поликремний (poly-Si) 🔴монокристаллический кремний (mono-Si)   ➡️ Узнайте больше о линейках специального технологического оборудования НИИТМ.   Подбор оборудования: 1️⃣Отправьте ТЗ на почту marketing@niitm.ru. 2️⃣Получите индивидуальное решение под задачи вашего производства или лаборатории. @NIITM_official | Новость на сайте | Наше сообщество ВК

🇪🇺 Chips Act 2.0: Европа пересматривает полупроводниковую стратегию. 📜 3 июня 2026 года Еврокомиссия представила проект обновлённого закона о микросхемах. Вместо погони за долю рынка - ставка на незаменимость Европы в нишевых сегментах и формирование гарантированного спроса. Ключевые изменения: 1. Смена целеполагания — отказ от недостижимых 20% мирового производства к 2030 году. Приоритет — укрепление сегментов, где ЕС уже силён: литографическое оборудование, материалы, специализированный дизайн. 2. Фокус на спросе — первый акт субсидировал производство в расчёте на «приходящий» спрос. Chips Act 2.0 впервые выстраивает спрос через прямую связку производителей чипов с отраслями-потребителями, а также формирует якорный спрос от дата-центров и ИИ-гигафабрик (в связке с CADA — Cloud and AI Development Act). 3. Расширение меры FOAK — государственная поддержка проектов first‑of‑a‑kind теперь охватывает всю цепочку производства микросхем (от сырья до корпусирования). Впервые право на поддержку получают производители оборудования и материалов. 4. Grand Challenges — запускаются программы промышленной разработки критически важных для ЕС микросхем, прежде всего ИИ-чипов. 5. Безопасность поставок — расширяются полномочия Еврокомиссии по заблаговременному запросу информации у участников рынка, а на частный сектор возлагаются обязательства по обмену данными для мониторинга и предотвращения дефицита комплектующих. 💸 Главный открытый вопрос — деньги. Публикация закона совпала с переговорами по бюджету ЕС на 2028–2034 годы и Европейская комиссия не обозначила объем средств, выделенный на финансирование Chips Act 2.0. Сокращение государственного финансирования потребует адресных частных инвестиций. --- 📎 Подробный разбор всех изменений и их влияния на сегмент оборудования и материалов — в нашей аналитической записке во вложении

🇰🇷 Южная Корея объявила масштабную программу развития полупроводниковой и ИИ-инфраструктуры 🏭 Samsung Electronics и SK hynix должны построить по две новые полупроводниковые фабрики на юго-западе страны. Проект входит в национальную программу развития полупроводниковой экосистемы объемом около 518 млрд долл. США. 🎯 Цель программы — укрепить позиции Южной Кореи в производстве микросхем и ускорить развитие инфраструктуры для ИИ. Власти отдельно заявляют, что намерены резко сократить сроки прохождения разрешительных процедур и строительства, чтобы быстрее расширять производственные мощности. 💸 На этом фоне южнокорейские СМИ также сообщили о возможной инвестиционной программе Samsung Group объемом около 646 млрд долл. США, на ближайшие 10 лет. Программа охватывает несколько направлений: строительство новых полупроводниковых фабрик, развитие ИИ-ЦОД, мощностей передового корпусирования, а также проектов в сегментах батарей и дисплеев. В инвестпрограмме Samsung указываются следующие ориентиры: около 194 млрд долл. США может быть направлено на новые фабрики на юго-западе Южной Кореи, около 233 млрд долл. США — на полупроводниковый кластер в Йонине и более 226 млрд долл. США — на ИИ-ЦОД. При этом из публикации не ясно, пересекаются ли эти суммы между собой, поэтому их не следует складывать как общий объем программы. Контекст программы правительства Южной Кореии связан с ростом спроса на память для ИИ-инфраструктуры. Samsung Electronics и SK hynix стали одними из ключевых компаний в этом сегменте, поскольку спрос на HBM продолжает превышать предложение. SK hynix остается ведущим поставщиком HBM для Nvidia, тогда как Samsung инвестирует в сокращение технологического отставания от конкурента. 📉 Реакция рынка при этом была отрицательной: акции Samsung Electronics в день объявления снизились на 4,8%, а акции SK hynix после первоначального падения почти на 6% завершили движение снижением на 1,6%. 💬 Электронное машиностроение в МАХ #ЭлМаш #технологии #Samsung #SKhynix