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💻 BofA: AI 네트워크 시장, 2030년 2,450억달러까지 커진다 AI 서버가 대형화될수록 GPU를 연결하는 네트워크 성능이 전체 시스템 성능을 좌우하는 구조 특히 차세대 광통신 기술이 빠르게 성장하면서 AI 인프라 투자의 수혜 범위가 GPU 밖으로 확산 📌 AI 네트워크 시장의 가파른 성장 AI 네트워킹 시장은 2025년 338억달러에서 2030년 2,452억달러로 확대 전망 스위칭·SmartNIC·Connectivity 전 영역이 성장하며 향후 5년 연평균 성장률은 48.6% 수준 AI 클러스터 규모가 커질수록 GPU 간 데이터 이동을 담당하는 네트워크 투자가 함께 증가하는 구조 📌 차세대 연결 기술로 투자 중심 이동 SmartNIC 시장은 2025년 48억달러에서 2030년 660억달러까지 성장 전망 광통신에서는 1.6T·3.2T로 고속화가 진행되는 동시에 CPO 시장도 2030년 150억달러까지 확대 전망 기존 400G·800G에서 고속 광통신과 CPO로 기술 전환이 진행되며 관련 밸류체인 수혜 가능성에 주목 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 UBS: 하이퍼스케일러 캐펙스에서 메모리 비중 2027년 63%까지 급증 하이퍼스케일러 지출에서 메모리가 차지하는 비중이 2년 만에 14%에서 60%대로 폭증 NAND 지출이 2025년 대비 2027년까지 12배 이상 증가 📌 상위 12개 하이퍼스케일러 캐펙스 전망 ・2025년 5,070억 달러 → 2026E 9,748억 달러(+92% YoY) → 2027E 1조 4,242억 달러(+46% YoY) 📌 메모리 항목별 지출 ・HBM: 2025년 239억 달러 → 2026E 500억 달러 → 2027E 1,733억 달러 ・DDR(DRAM): 2025년 302억 달러 → 2026E 1,893억 달러 → 2027E 4,880억 달러 ・NAND: 2025년 187억 달러 → 2026E 1,170억 달러 → 2027E 2,378억 달러 📌 전체 메모리 지출 및 비중 ・총 메모리 지출: 2025년 728억 달러 → 2026E 3,562억 달러(+390% YoY) → 2027E 8,991억 달러(+152% YoY) ・하이퍼스케일러 전체 캐펙스 대비 메모리 비중: 2025년 14% → 2026E 37% → 2027E 63% 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 주요 메모리 3사+낸드업체 LTA(장기공급계약) 세부 비교 — 2026년 2분기 실적발표 기준 메모리 업계 전체가 동시다발적으로 "가격 하한 보장 + 선수금·금융보증 확보"라는 구조로 전환 📌 계약 건수 ・마이크론(MU): 총 16건의 전략적공급계약(SCA) — 대형고객 4건 + 중견고객 3건 + 소규모 자동차向 ・삼성전자(SEC): 글로벌 데이터센터 상위 5개 고객사와 확정, 추가 5개 주요 계정과 막바지 협상 중 ・SK하이닉스(SKH): 핵심 고객사 대상 약 10건 ・미국 낸드업체(마이크론 추정): NBM(신사업모델) 8건 ・키옥시아: 약 10건 LTA 체결 완료 📌 물량 커버리지 ・마이크론: DRAM 물량의 약 20%, 낸드 물량의 약 3분의 1 ・삼성전자: 전체 생산능력의 60~70% ・미국 낸드업체: FY2027 비트 기준 50% 이상, FY2028 기준 약 3분의 2 ・키옥시아: CY2028 LTA 물량커버리지 목표 50% 📌 매출 커버리지 ・마이크론: 완료 시 전체 매출의 50% 이상 ・미국 낸드업체: 최저가격 기준 NBM 총매출 최소 939억 달러(실제 기대치는 이보다 높음) 📌 계약기간 ・마이크론: 데이터센터/소비자向 5년, 자동차向 3년 ・삼성전자: 5년 기간(연간 재협상 전제, 롤링 방식으로 추가 연장 가능) ・SK하이닉스: 평균 5년(고객·제품별 구체 조건 상이) ・미국 낸드업체: 최대 5년, 가중평균 기간 4년 이상 📌 계약 구조 ・마이크론: 테이크오어페이(Take-or-pay), 구속력 있는 물량 커밋 ・삼성전자: 상호구속력 있는 계약조건, 확약된 수요보증, 롤링 계약 기반 ・SK하이닉스: 물량공급을 넘어선 전략적 파트너십, 장기 물량커밋 + 보증금 ・미국 낸드업체: 연도별·분기별 수급 커밋, 계약 종료 시점별 금융보증 해제 ・키옥시아: 다년 공급계약, 상호구속력 있는 계약조건 📌 가격 구조 — 상한/하한 ・마이크론: 상한은 2026년 2분기 시장가격(기존제품 기준), 하한은 과거 어떤 사이클 정점보다 높은 매출총이익률을 보증 ・삼성전자: 고객·제품별로 차등화된 가격모델 ・SK하이닉스: 가격구조도 획일적이지 않음, 가격변동성 대응을 위한 다양한 가격메커니즘 ・미국 낸드업체: 변동분에 상한 적용(고정+변동 혼합), 하한가격 적용 시에도 매력적인 마진(약 80%) 유지 ・키옥시아: 주류제품向 최소가격 하한선 설정(향후 투자 리스크 완화 목적) 📌 현금예치 및 약정 ・마이크론: 총 220억 달러(현금 180억 달러 포함) ・삼성전자: 다년간에 걸친 상당한 규모의 선지급 ・SK하이닉스: 계약이행을 뒷받침하는 보증금 편입 ・미국 낸드업체: 165억 달러 금융보증(현금예치+금융상품), 대부분 제3자 기관을 통해/제3자 기관에 보유 ・키옥시아: 예치금 등 금융메커니즘 편입 📌 잔여이행의무(RPO)/선수금 ・마이크론: 3분기(FY26) 4억 달러, 4분기(FY26) 100억 달러 예상 ・삼성전자: 이미 상당 부분 수령, 전체의 약 4분의 1 수령, 잔액은 계속 증가 예상 ・미국 낸드업체: 분기말 기준 598억 달러, 분기말 이후 체결 딜 포함 시 911억 달러 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 아이폰18 발표 임박, 폴더블 아이폰과 동시 공개설 — 폭스콘 정저우 공장 채용 확대 https://money.udn.com/money/story/11162/9695323?from=edn_newest_index 📌 발표 일정 및 채용 동향 ・시장에서는 애플이 미국 현지시각 9월 9일(대만시각 9월 10일) 신형 아이폰18 시리즈와 폴더블 아이폰을 동시 공개할 것이라는 전망 제기 ・아이폰 최대 생산기지인 폭스콘(홍하이·2317) 정저우 공장이 인력 채용을 확대 — 최신 단기 입사장려금(返費)이 합산 최대 위안화 8,800위안(약 대만달러 4.2만 위안) ・신제품 발표가 소비자가전 성수기 물량 확보 시기와 맞물려 폭스콘·TSMC(2330)·라간정밀(대립광·3008) 등 공급망이 수혜를 볼 것으로 업계는 전망 📌 채용 상세 ・폭스콘 정저우 소속 A사업군, iPEG사업군이 인력 채용 확대 중 ・A사업군 입사장려금은 위안화 7,500위안+800위안, 8월 14~15일 이틀간 입사자에게는 500위안 추가 지급 — 합산 총 8,800위안(예년 9,000위안 대비 소폭 감소) ・A사업군: 휴대폰 부품 조립·테스트·검사 담당 ・iPEG사업군: 휴대폰 부품 생산(금속 케이스·구조부품 등) 담당 📌 애플 프리미엄 시장 지위 ・카운터포인트리서치 전망: 600달러 이상 글로벌 프리미엄 스마트폰 시장에서 애플이 계속 선두 유지, 2026년 상반기 점유율 65% — 출하량은 전년 동기比 +9% ・600달러 이상 프리미엄폰 판매량, 전년 동기比 +5% 증가, 전체 스마트폰 판매량 대비 비중은 29%로 2025년 동기(25%) 대비 상승해 역대 동기 최고치 ・메모리 가격 상승으로 휴대폰 가격이 오르며 교체주기가 길어지고 있음에도 프리미엄폰의 매력은 여전히 유지되고 있다는 분석 📌 폴더블 아이폰 — 20년 만의 최대 디자인 변화 ・아이폰18 시리즈 외에 시장이 가장 주목하는 것은 애플 최고사양 기종인 첫 폴더블 아이폰 — 애플의 첫 폴더블 시장 진출이자, 아이폰 출시 근 20년 만의 최대 외형 디자인 변화 ・업계 예상 가격대는 2,000~2,499달러 — 프로맥스의 거의 2배 수준으로 역대 최고가 폴더블폰이 될 전망, 다만 평균판매단가(ASP) 상승 효과로 조립을 담당하는 폭스콘의 매출에도 기여할 전망 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

🎬 삼성전자•SK하이닉스, 실적 그 다음 트리거! 대규모 주주환원 정책의 모든 것 [이창환 영업이사] https://youtu.be/fY_TDnIVJvM?si=hPd3U7BSXnz1DJz_ 📌 업황 우려보다 커진 환원 기대 메모리 가격과 수출 데이터가 예상보다 강해 업황 우려는 제한적 시장 관심은 실적 증가에서 배당·자사주 매입 및 소각으로 이동 📌 SK하이닉스, 현실적 규모는 40~60조원 2분기 순현금 69조원으로 조기 100조원 환원은 부담 3분기 발표에서 자사주 매입·소각과 배당 확대 여부가 핵심 📌 삼성전자, 시장 눈높이는 100조원 특별배당과 자사주 매입을 포함한 차기 환원 정책 논의 중 규모보다 소각 포함 여부와 지속 가능한 환원 구조가 중요 삼성전자와 SK하이닉스의 실적 다음 트리거, 주주환원 정책을 꼼꼼하게 분석했습니다! 많은 시청 바랍니다!

💻 TSMC 애리조나 2나노 팹, 최대 4분기 조기 가동 가능성 — 3공장(P3)도 속도전 https://money.udn.com/money/story/5612/9695288?from=edn_maintab_index 📌 핵심 내용 ・TSMC 애리조나 2공장이 당초 예상보다 최대 4개 분기 앞당겨 가동될 수 있다는 외신 보도 ・피닉스 소재 3공장(P3) 진행 속도도 빠른 것으로 파악 ・2공장 관련 일정도 기존 계획보다 앞서 있음 — 장비 반입이 2026년 하반기(현재)로 예정, 양산 개시는 2027년 하반기 전망 📌 애리조나 팹 전체 일정 — 시간에 따른 변화 ・2공장은 원래 2028년 가동 예정이었으나, 몇 개 분기 앞당겨져 현재는 2027년 양산 목표로 조정됨 ・2022년 발표 당시 2공장은 2026년 3나노 양산이 목표였는데, 이후 공정 자체가 3나노에서 2나노로 상향 조정되며 오히려 더 앞선 기술을 미국에 이식하는 방향으로 계획이 바뀜 ・3공장(P3)은 2025년 4월 착공, 애초 2028년 목표였던 일정이 2027년으로 1년 앞당겨졌으며 2나노·A16(1.6나노급) 공정을 담당할 예정 ・4공장도 3공장과 동일한 공정 기술 적용 예정, 5·6공장은 A14(1.4나노급) 이상 더 앞선 공정을 목표로 계획 중 ・해외 팹 건설 소요기간이 기존 약 6분기에서 4~5분기로 단축 — TSMC와 공급망이 현지 규제·프로젝트 관리 경험을 축적하며 효율이 개선된 결과로 분석됨. 1공장 건설에 약 3년이 걸렸던 것이 이제는 1.5~2년 수준으로 단축돼 대만 수준의 효율성에 점차 근접 📌 첨단패키징 시설도 동시 구축 ・미국 내 첨단패키징 전용 팹 2개(AP1·AP2)도 2026년 초 착공 예정 ・AP1은 SoIC·CoW(Chip on Wafer) 기술 중심, 2028년 양산 목표 ・AP2는 CoPoS(Chip on Panel on Substrate) 기술에 주력 ・강한 장기 AI 수요를 반영해 패키징 팹 2개를 추가 검토 중이라는 보도도 있음 — 이 경우 애리조나에는 최대 12개 팹이 들어설 가능성 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 HBF 규격 공개로 NAND 적층, 광 인터커넥트(CPO)로 확장되는 요인 https://photoncap.net/p/beside-above-or-beyond-the-ai-memory HBF는 NAND를 저장장치가 아니라 프로세서 인접 메모리 계층으로 이동시키는 구조 NAND 용량이 커질수록 프로세서와 떨어진 메모리를 연결하는 대역폭 문제가 커져 광인터커넥트 적용 범위도 확대될 수 있음 📌 Google 이어 Meta도 HBF 컨소시엄 참여 ・OCP 첫 규격은 최대 512GB·3.0TB/s ・Google에 이어 Meta까지 하이퍼스케일러 2곳 참여 📌 NAND 스태킹은 목적별로 구조가 다름 ・고단 적층·웨이퍼 본딩은 집적도와 원가 개선 목적 ・HBF는 완성 NAND 다이를 TSV로 8·16단 적층 📌 HBF와 zHBM은 메모리 위치까지 바꾸는 구조 ・HBF는 프로세서 옆에서 넓은 병렬 버스로 연결 ・zHBM은 HBM을 가속기 위에 수직 배치하는 개념 📌 용량 경쟁이 광인터커넥트 수요로 확장 가능 ・NAND는 DRAM보다 지연 허용폭이 커 원거리 배치 가능 ・메모리가 멀어질수록 고대역폭 연결 계층 필요 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 HBM 다음은 ‘계층형 메모리’ — FMS 2026이 예고한 차세대 메모리 전쟁 2026년 하반기는 “AI 시스템이 HBM 하나에만 의존하는 구조를 얼마나 더 유지할 수 있나”로 넘어가는 중. AI 워크로드가 학습 → 대규모 추론, 단발성 프롬프트 → 에이전틱 AI로 옮겨가면서 KV 캐시 등 유지해야 할 상태 데이터가 폭증. FMS 2026에서 이 흐름이 뚜렷하게 드러남. 📌 SK하이닉스 — HBM·DRAM·NAND·CXL을 하나로 묶는 ‘Tiered Memory’ • 에이전틱 AI 시대에는 메모리 아키텍처가 계층형 메모리(Tiered Memory) 체계로 진화해야 한다는 게 핵심 메시지 • 샌디스크와 공동 개발한 HBF(High Bandwidth Flash)를 HBM과 SSD 사이 새로운 메모리 계층으로 제시 • CXL 하이브리드 메모리를 더해 기존 HBM→DRAM→SSD 계층을 확장한 IMTE 아키텍처가 AI 추론 효율을 35.7% 개선한다고 발표 • 분산 AI 에이전트의 KV 캐시 관리에 CXL Pooled Memory 적용, SSD엔 주 캐시를 유지하며 DRAM으로 프리페치하는 CMM-Hybrid 시연 • 메모리 내부에 연산 기능을 내장한 CMM-Ax(컴퓨트-인-메모리)도 공개 — 롱컨텍스트 LLM 추론 가속용 📌 삼성전자 — 정반대 방향, “메모리를 GPU 위로” • HBM을 GPU 옆이 아니라 바로 위에 수직으로 쌓는 zHBM 기술 공개 • 차세대 인터페이스 시스템 기준 zHBM이 HBM5 대비 약 8배 성능 목표치 제시 • BV-NAND는 400단 벽을 넘는 프로토타입 공개 → SK하이닉스는 ‘계층 확장’으로, 삼성전자는 ‘메모리-컴퓨트 거리 제로화’ 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

🖥 8월 2주차, 한 주간 반도체 소부장 섹터 핵심 정리 📌 삼성전기, 유리기판 신뢰성 평가 병목…양산 일정 2028년 이후로 지연 가능성 📌 삼성전자, HBM4 수율 80% 돌파…기술 추격에서 본격적인 물량 확대 국면으로 전환 📌 HPSP·예스티, 고압수소어닐링 특허분쟁 지속…삼성 납품 장비 영상 공개 놓고 공방 📌 SK하이닉스, 中 충칭 후공정 공장 지분 매각 검토…AI·HBM 중심 자산 재편 가능성 📌 엠케이전자, 본딩와이어·솔더볼 3,476억원 담합 혐의…법인·임직원 5명 기소 🔎 이번 주 포커스: 엠케이전자, SoCAMM2 성장 스토리와 3,476억원 담합 리스크의 충돌 • 엠케이전자는 본딩와이어와 솔더볼을 주력으로 공급하는 반도체 후공정 소재 기업으로, 매출 대부분이 본딩와이어에서 발생 • 검찰은 2020년부터 약 5년 8개월간 본딩와이어 3,069억원, 솔더볼 407억원 규모의 가격 담합이 이뤄진 것으로 판단 • 금 등 원자재 가격 급등과 경쟁 심화로 수익성이 압박받는 가운데 경쟁사와 가격 인상·가격 인하 공동 대응에 나선 혐의 • 공정거래법상 가격담합을 전제범죄로 범죄수익을 추징보전한 첫 사례로, 향후 과징금·손해배상 등 추가 리스크 확인 필요 • 반면 SoCAMM2 확산과 LPDDR5X 고적층 전환으로 본딩와이어 수요가 다시 증가하며 2026년 반기 실적은 큰 폭으로 개선 • 성장 스토리는 단기 실적으로 확인되는 반면 법적 리스크는 중장기적으로 현실화될 수 있어 두 시간축의 충돌이 향후 핵심 변수 🔥 한 주 동안의 반도체 소부장 흐름과 함께 SoCAMM2 수혜 기대 속에서 불거진 엠케이전자의 3,476억원 담합 리스크를 자세히 정리해드립니다! https://contents.premium.naver.com/growthresearch/growth/contents/260816141944284ur 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 CPO 공급망 정리: 핵심 FAU 공급업체는 아시아 중심 [BofA] CPO의 핵심 부품 중 하나인 FAU(Fiber Array Unit) 공급망이 중국·일본·대만 등 아시아 업체 중심으로 형성​돼 있다는 점이 눈에 띔 📌 주요 공급망 • Optical Engine: Nvidia, Broadcom, Marvell / Foundry: TSMC • V-groove: TFC, Senko, Orbray, Corning, Focuslight • Optical Fiber: Corning, Fujikura, YOFC • Micro Lens: TFC, Coherent, Focuslight, Largan, Himax • FAU Assembly: TFC, Senko, FOCI, Coherent, Corning / Largan(potential) • ELS Laser: Lumentum, Coherent, Broadcom, Furukawa, Yuanjie, DS Precision • ELS Module: TFC, Lumentum, Coherent, Innolight, Eoptolink, DS Precision • Shuffle Box: Corning, Browave, Senko, Molex, TFC • Assembly/Test: Fabrinet, Hon Hai/FII, ASE/SPIL, USI 📌 체크포인트 ✔️ 1. TFC의 높은 공급망 노출도 V-groove, Micro lens, FAU assembly, ELS module, Shuffle box까지 포함 CPO 공급망 내 가장 다양한 영역에 이름을 올린 업체 중 하나 ✔️2. Corning·Senko·Coherent도 다중 영역 공급 단일 부품이 아니라 FAU 및 주변 광학부품 전반에 포진 CPO 시장 확대 시 공급망 내 영향력 확대 가능 ✔️3. Largan의 FAU 진입 가능성 현재 Micro lens 주요 공급업체 BofA 자료에서는 FAU assembly의 potential supplier로도 언급 기존 정밀 렌즈 기술의 CPO 영역 확장 가능성에 주목 ✔️4. 핵심은 아시아 광학부품 공급망 CPO는 Nvidia·Broadcom 등 광학 엔진 업체뿐 아니라 FAU, 렌즈, 광섬유, ELS, 커넥터 등 정밀 광부품 공급망의 중요도가 함께 상승하는 구조 특히 FAU 관련 핵심 업체들이 아시아에 다수 위치한다는 점이 투자 관점에서 중요한 포인트 → 향후 800G → 1.6T → CPO 전환 과정에서 어떤 업체가 실제 양산 공급망에 들어가는지가 핵심 관전 포인트. 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 인텔, 메모리 시장 재진입 움직임 — ZAM·XBM 두 갈래 전략 인텔이 차세대 메모리 아키텍처인 ZAM(Z-Angle Memory)과 XBM(Cross-Batch Memory)을 통해 HBM 대안 기술을 병행 개발 중 두 프로젝트를 함께 보면 인텔이 최소 2개의 HBM 대체 경로를 동시에 추진 📌 ZAM — 적층·본딩 방식의 혁신 • 8개 D램 다이와 로직 컨트롤러로 구성된 저전력 적층 D램 아키텍처, HBM 대비 전력·발열·비용 절감이 목표 • 9층 스택(D램 8층 + 로직 컨트롤러)에 초박막 실리콘 기판 적용, TSV와 하이브리드 본딩으로 스택 연결 • 스택당 약 5.3TB/s 대역폭, 10GB 용량(패키지당 30GB) 목표 — HBM4 대비 최대 2배 대역폭 • 2028~2030년 상용화 목표, 근시일 내에는 HBM4·HBM4E가 시장 주도 • 소프트뱅크 자회사 SAIMEMORY와 공동 개발, 2029년 상용화 목표로 VLSI Symposium 2026 공개 예정 📌 XBM — 인터페이스·다이 구조 자체를 변경 • DRAM 셀을 백엔드 공정으로 이전하는 박막 트랜지스터 방식, HBM의 고비용 실리콘 인터포저 대신 32GT/s급 UCIe 시리얼 링크로 대체 • 다이당 용량 약 0.5GB~5GB, 스택 8층~16층까지 확장 가능, 전체 패키지 크기는 HBM4 수준 유지 설계 • 고단 적층 수율 저하 대응을 위해 BISR(내장 자가복구), 예비 채널, 이중화 메모리 배열 등 탑재 • 2030년 이후 상용화 목표, ZAM보다 늦은 타임라인 XBM은 아직 발표·테이프아웃·고객사가 전무한 특허 단계 기술 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 차세대 3D NAND·HBM 하이브리드 본딩 워크플로우 하이브리드 본딩은 단순히 “다이 두 개를 붙이는” 공정이 아닙니다. 임시 접합 → 웨이퍼 박막화 → 보호막 코팅 → 정밀 다이싱 → 다이 픽앤플레이스 → 본딩 → 디본딩·세정으로 이어지는 다단계 공정 생태계 📌 공정 4단계 • (I) 다이 준비: Top die wafer 마운팅 → 박막화(그라인딩) → 웨이퍼 플립 → 보호막(LRL) 코팅 • (II) 다이 픽앤플레이스: 다이싱 → Glass Carrier 위 배치 • (III) 본딩: 유기막(Adhesive) 제거 → Glass Carrier 본딩 → Target wafer 접합 • (IV) 디본딩·세정: 최종 캐리어 분리 및 세정 📌 기술적 의미 • 접합 피치: TC 본딩(열압착) 40~55㎛ → 하이브리드 본딩 10㎛ 이하 • 집적도: 동일 면적 기준 4~5배 상승 • 접합 방식: 솔더 범프 없이 구리-절연체 계면 직접 접합 • 성능 효과: 기생 저항·발열 감소 → 전력 효율 개선 📌 공정별 국내 소부장 밸류체인 • 다이 준비/보호막: 케이씨텍(유리기판 슬러리·세정액), 켐트로닉스(TGV 정밀 가공) • 본딩 장비: 한화비전(HCB 장비, SK하이닉스와 공동 개발), 한미반도체(2세대 하이브리드 본더 준비), 제너셈(SK하이닉스향 파일럿 라인 공급) • 어닐링/평탄화: HPSP(저온 수소 어닐링), 케이씨텍(CMP 평탄화) • 해외 경쟁: 베시(BESI, 로직 반도체 선두), ASMPT(2세대 본더 출시 예정) 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 마이크론 HBM 출하량, 2026→2027년 약 50% 증가 전망 — 점유율 21% 유지 📌 차트 핵심 데이터 ・마이크론 연간 HBM 출하량(엑사바이트 기준): CY2024 0.11 → CY2025 0.57 → CY2026E 0.97 → CY2027E 1.46 ・업계 전체 HBM 출하량 대비 마이크론 점유율: CY2024 7% → CY2025 이후 21%로 안정화 ・업계 전체 HBM 출하량은 CY2027E 기준 약 7엑사바이트에 근접 📌 핵심 해석 — 웨이퍼 캐파 소모량 관점 ・HBM은 비트당 웨이퍼 캐파를 표준 DDR5 대비 약 3배 소모 ・따라서 2027년 HBM 수요(약 7엑사바이트)는 동일한 팹에서 약 20엑사바이트 규모의 범용 DRAM에 해당하는 캐파를 실질적으로 흡수하는 셈 ・이 때문에 마이크론은 HBM 매출 확대로 "이중으로 수혜"를 보는 구조 — HBM 매출 자체의 성장과 함께, HBM이 소모하는 캐파가 범용 DRAM 공급을 지속적으로 타이트하게 만들어 가격을 높은 수준으로 유지시키는 효과 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 SK하이닉스, 2034년까지 720억 달러 투자 — HBM 생산능력 3배 확대 https://www.youtube.com/watch?v=8JiyJejo-e0 CNBC에서 SK하이닉스 다큐멘터리를 제작했습니다. SK하이닉스 용인클러스터에 대한 부분이 많이 나왔는데 투자하면서 한번쯤 시청해보시기 바랍니다. 📌 투자 규모 및 목표 ・SK하이닉스, 2034년까지 약 720억 달러 규모 투자를 통해 생산능력을 3배로 확대한다는 계획 제시 ・배경: 엔비디아·애플 등 글로벌 기업들이 AI 가속기向 메모리 부족 심화에 대응해 장기 공급계약 확보에 나서는 상황 📌 HBM 선점의 역사 — 10년 이상의 장기 베팅 ・SK그룹, 2012년 약 30억 달러에 하이닉스 인수 ・2013년 세계 최초 HBM 공개 — 당시엔 뚜렷한 시장이 없었으나, 2015년 AMD 라데온 GPU에 상용화되며 첫 발판 마련 ・2022년 챗GPT 이후 AI 시장이 폭발하며 HBM3를 앞세워 엔비디아 핵심 공급업체로 자리매김 📌 용인 클러스터 — 세계 최대 메모리 클러스터 ・약 4,500만ft² 규모, 4개 Fab 건설 프로젝트, 전체 투자비 약 4,000억 달러 ・4번째 Fab 완공 목표를 기존 계획 대비 12년 앞당긴 2033년으로 재설정 — 빅테크들의 메모리 확보 경쟁이 투자 가속의 핵심 배경 📌 '메모리 월(Memory Wall)' 돌파 — HBM 기술 상세 ・AI 성능의 새로운 병목은 GPU 연산력이 아니라 메모리 월 — HBM은 여러 DRAM 다이를 수직 적층해 대량 데이터 처리를 가능케 함 ・SK하이닉스는 최대 16개 DRAM 다이 적층, 청주 M15X에서 HBM3E·HBM4 생산 ・독자 MR-MUF 패키징 기술로 열·휨 문제 완화 및 적층 두께 감소 — Glasp의 HBM 분석에서도 적층 정밀도·방열 효율 개선의 핵심 기술로 평가 📌 HBM4→HBM4E→HBM5 — '커스텀 HBM' 시대 ・기존 DRAM은 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 간 차별성이 낮은 범용 상품에 가까웠으나, HBM은 엔비디아·구글 등 고객의 AI 프로세서에 맞춰 공동 설계되는 제품으로 진화 중 ・HBM5부터 고객 맞춤형 설계 비중이 더욱 확대될 전망 — 메모리의 구조적 수익성 개선 가능성을 시사 📌 계약 구조의 변화 — 1년에서 최대 5년으로 ・과거 대부분 1년 이하였던 메모리 공급계약이, 주요 고객사와 최대 5년 장기계약으로 전환 ・일부 계약은 수십억 달러 규모의 선급금 동반 — 고객이 신규 Fab 투자 리스크를 사실상 함께 부담하는 구조로 전환되며 전통적인 메모리 산업의 붐앤버스트 변동성을 낮출 가능성 📌 설비투자 상세 ・이천 공장, 웨이퍼 이송용 자동운송장치 약 700대 운영 ・ASML 최첨단 EUV 장비 도입 — 2027년까지 EUV 장비에 최대 80억 달러 투입 계획 ・경영진은 AI 에이전트 확산에 따른 구조적 메모리 수요 증가로, 기존 메모리 사이클보다 훨씬 긴 호황이 나타날 것으로 전망 📌 최대 리스크 — 공급과잉 ・삼성전자·마이크론·SK하이닉스의 신규 Fab이 동시 가동될 경우 재차 공급과잉 발생 가능성 ・실제 2023년 메모리 공급과잉 당시 SK하이닉스는 약 60억 달러 영업손실 기록 ・다만 회사는 AI 에이전트·AI 컴퓨팅 확대로 당분간 과거와 같은 급격한 붕괴(Bust) 가능성은 낮다고 판단 📌 미국 진출 — 전공정 아닌 첨단패키징부터 ・인디애나주 웨스트라파예트(West Lafayette)에 약 40억 달러 투자, 미국 최초 제조시설 건설 중 ・퍼듀대학교 인근의 인력·전력·용수·정부지원 활용, 약 1,000개의 장기 일자리 창출 계획 ・다만 HBM DRAM 자체는 한국에서 생산하고 미국에서는 첨단패키징만 담당 — 미국의 높은 토지·전력·용수·규제 비용 때문에 전공정 Fab 건설에는 신중한 입장 📌 중국 리스크 및 단기 공급부족 전망 ・장기적으로 가장 큰 경쟁자는 중국 — 미국의 대중국 수출규제로 첨단 HBM 공급이 제한되면서 중국 업체들이 자체 HBM 기술을 빠르게 개발 중 ・최태원 회장, 중국의 추격을 중요한 위협으로 평가 ・동시에 회사는 향후 1년 정도가 메모리 공급 부족이 가장 심한 시기가 될 가능성을 언급하며 최대한 빠른 생산능력 확대를 추진 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 미국 정부, 애플에 중국산 메모리 구매 자제 압박…AI 메모리 공급난 속 조달 갈등 [WSJ] 📌 미국 정부, 애플의 중국산 메모리 구매 반대 ・하워드 러트닉 미 상무장관은 애플이 중국산 메모리를 구매하는 것을 원하지 않는다고 밝힘 ・다만 WSJ는 미국 정부의 입장에도 애플이 중국산 메모리를 구매할 가능성이 있다고 보도 📌 AI 데이터센터가 촉발한 메모리 공급 부족 ・AI 데이터센터를 구축하는 기업들의 메모리 수요가 급증하면서 핵심 메모리 부품 공급 부족 발생 ・가용 물량의 가격도 급등하면서 메모리 조달 비용이 크게 상승 📌 높아진 메모리 가격, 소비자 전자제품에도 영향 ・메모리 가격 상승으로 애플을 비롯한 소비자 전자제품 업체들의 원가 부담 확대 ・높아진 비용으로 인해 관련 업체들이 제품 가격을 상당 폭 인상하는 상황 📌 공급난 해소 위해 중국 업체까지 검토 ・애플은 메모리 공급 부족을 완화하기 위한 대안으로 중국 메모리 제조업체를 검토 중 ・AI 인프라 수요 급증이 글로벌 메모리 조달처 다변화 움직임으로 이어지는 모습 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻‘안 깨지는’ 고다층 유리기판이 승부처…삼성전기, 일본과 본격 경쟁 https://n.news.naver.com/mnews/article/011/0004652026 현재까지 공개된 기술 로드맵만 놓고 보면 일본 업체들이 한발 앞서 있는 것이 사실이나, 이 시장의 최종 승부처는 기술 시연이 아니라 2028년 전후의 양산 수율 확보 📌 일본 신코덴키 — 22층 고다층 유리기판 구현 ・유리기판 양쪽에 각 11개씩 구리 배선층을 쌓아 총 22층 구조 구현 ・유리 내부 균열·박리 현상인 '세와레(SeWaRe)' 문제 해결 ・유리기판 가장자리에 고분자(폴리머) 계열 보호 소재를 적용해, 열이 가해질 때 특정 부위에 집중되는 응력을 분산시키는 방식으로 소재 혁신 달성 📌 삼성전기 — 합작법인 '글라셈(GlaSSEM)'으로 양산화 속도 ・지난달 스미토모화학 국내 자회사 동우화인켐과 유리기판 사업 합작법인 '글라셈' 설립 본계약 체결 ・자본금 4,821억 원, 삼성전기 66% : 동우화인켐 34% 지분 구조 ・역할 분담: 동우화인켐은 대면적 유리 가공·생산 기술, 삼성전기는 고다층·고밀도 패키지 기판 설계·양산 기술 ・2분기 실적 콘퍼런스콜에서 데이터센터용 글로벌 빅테크들과 대면적·고다층 유리기판을 공동 개발 중이며, 일부 고객사와는 기술 승인·샘플 평가를 진행 중이라고 공개 📌 왜 유리기판인가 — AI 반도체 패키징의 구조적 요구 ・AI 반도체는 연산·메모리 반도체를 하나의 패키지에 집적하는 방향으로 진화 → 패키지 면적 확대 → 기존 유기(폴리머) 기판은 대면적일수록 휘어지는(워피지) 한계 노출 ・유리기판은 강성이 높고 열에 따른 변형이 작아 대형 AI 반도체를 안정적으로 지지하는 데 유리 📌 시장 규모 및 성장 전망 ・글로벌 유리코어기판 시장(퍼시스턴스마켓리서치): 올해 1억 2,810만 달러(약 1,812억 원) → 2033년 10억 3,600만 달러(약 1조 4,657억 원)로 약 8배 성장 전망 ・연평균 성장률(CAGR) 34.8% 📌 경쟁 구도 — 현재는 일본이 다소 앞서 있다는 평가 ・신코덴키: 유리기판 수직 관통 미세구멍 공정(TGV) 및 그 위 절연층·구리배선층 다층 적층 기술 보유 ・다이닛폰프린팅(DNP): 작년 12월 사이타마현에 TGV 유리기판 시험생산라인 구축, 올초부터 고객사向 샘플 공급 중, 2028년 본격 양산 계획 ・삼성전기: 마찬가지로 2년 뒤(2028년경) 양산 목표로 고객사 샘플 평가 진행 중, 다만 글라셈 생산라인 구축을 위한 장비 발주 준비 단계로 구체적 일정은 미확정 📌 삼성전기의 경쟁 우위 요소 ・이미 AI 반도체用 패키지 기판인 FC-BGA(플립칩 볼그리드어레이)를 양산 중 — 유리기판을 적용할 기존 고객 기반을 보유하고 있다는 점이 강점 ・업계 관계자: "유리기판은 이제 미세구멍 뚫는 기술을 넘어, 칩 실장 후 열이 가해져도 균열 없이 성능을 유지하는 신뢰성 확보가 핵심"이라며 삼성전기가 선행 R&D를 추진하기에 유리한 위치에 있다고 평가 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 BofA: 2030년 데이터센터 시스템 TAM 2.2조 달러 — AI가 1.8조 달러로 압도적 📌 전체 시장 구조 ・2030년 전망 기준, 전체 데이터센터 시스템 총주소가능시장(TAM) 2.2조 달러 ・이 중 AI 데이터센터 시스템 TAM이 1.8조 달러로 압도적 비중 ・비AI(Non-AI) 데이터센터 시스템 TAM은 3,840억 달러(이 중 전통 클라우드 CPU가 약 300억 달러) 📌 AI 데이터센터 세부 구성 ($1.8조 달러) ・AI 서버: 1.4조 달러로 최대 비중 ・AI 네트워킹: 3,100억 달러 ・스토리지: 850억 달러 📌 AI 서버 세부 구성 ($1.4조 달러) ・AI 가속기: 1.1조 달러 — 압도적 최대 항목 ・HBM(고대역폭메모리): 2,770억 달러 ・AI CPU: 1,800억 달러 ・기타: 530억 달러 📌 AI CPU 세부 구성 ($1,800억 달러) ・AI 클러스터 컴퓨트/헤드노드: 900억 달러 ・AI 에이전틱 스탠드얼론 노드: 900억 달러 — 클러스터 컴퓨트와 정확히 50대50 분할 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 SK하이닉스, 상반기 엔비디아 매출 17조…미국 비중 64% https://www.yna.co.kr/view/AKR20260814158600003?input=1195m 📌 엔비디아 매출 17.6조원, 전년 대비 62% 성장 상반기 엔비디아향 매출 17조6,087억원으로 전체 매출의 13.4% 차지 전년 동기 10조8,906억원 대비 61.7% 증가 HBM을 중심으로 범용 D램·낸드까지 AI 인프라 투자 확대 수혜 지속 📌 또 다른 빅테크도 17.2조원…고객 기반 확대 확인 올해 1분기 처음 매출 비중 10%를 넘어선 글로벌 빅테크 고객사에서 상반기 17조1,874억원 매출 발생 엔비디아와 해당 고객사 합산 매출은 34조7,961억원으로 전체 매출의 약 26% 고객명은 비공개지만 업계에서는 마이크로소프트·구글 등으로 추정 📌 미국 매출 84.6조원, 1년 만에 3배 이상 확대 상반기 미국 매출 84조5,648억원으로 전체 매출 131조8,950억원의 64.1% 전년 동기 27조8,344억원 대비 56조7,304억원 증가 중국 매출도 32조4,783억원으로 전년 대비 4배 이상 증가, 전체 비중 24.6% 📌 HBM4 양산 시작…2027년 물량·가격 협상 진행 HBM4는 2분기부터 주요 고객사에 양산 공급 시작, HBM4E도 고객 샘플 공급 완료 현재 주요 고객들과 2027년 HBM 공급 물량 및 가격 협상 진행 중 AI 빅테크향 매출 급증과 차세대 HBM 공급 확대가 중장기 실적 가시성을 높이는 핵심 포인트 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 최태원 인터뷰 클립...내년이 메모리 부족 최악의 해가 될 것 📌 아마 내년이 메모리 부족의 최악의 해가 될 것입니다. 📌 제 일은 메모리 시장을 지키는 겁니다. 📌 그래서 (메모리 증설을) 가능한 한 많이, 빨리 늘리고 있는 상황입니다. 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 SMIC, AI 칩 수요 폭증에 분기 매출 첫 30억달러 돌파, 3분기 가격 인상까지 예고 📌 AI 수요가 만든 사상 첫 30억달러 분기 매출 2분기 매출 30.06억달러로 전년 대비 +36.1%, 사상 처음 분기 매출 30억달러 돌파 주주귀속 순이익 4.79억달러로 전년 대비 +261.7%, 시장 기대치 상회 경영진은 실적 성장의 핵심 배경으로 AI 지원 칩 수요 급증을 지목 📌 물량과 가격이 동시에 상승 웨이퍼 출하량은 전분기 대비 +14.4%, ASP도 +5.7% 상승하며 외형 성장 견인 중국 인터넷 기업들의 하드웨어 투자가 기존 예상치를 넘어섰고, 향후 주문 규모도 당초 전망보다 확대 중국 매출 비중은 90%로 AI 관련 칩·해외 주문 회복·반도체 국산화가 성장 동력 📌 3분기 AI 수요 +40% 전망 3분기 AI 칩 수요는 약 +40% 증가할 것으로 전망하며 웨이퍼 출하량도 추가 성장 예상 수요 강세를 기반으로 웨이퍼 가격 인상을 추진해 매출뿐 아니라 매출총이익률 개선도 계획 AI 투자 확대의 파급효과가 하반기까지 이어질 것으로 전망 📌 실적 서프라이즈에 Goldman Sachs도 Buy 유지 2분기 실적이 시장 기대치를 상회하며 AI 수요가 실제 파운드리 실적으로 연결되고 있음을 확인 Goldman Sachs는 SMIC에 대해 Buy 의견과 홍콩 목표주가 HK$135 유지 AI 수요 확대 + 중국 반도체 국산화 + 가격 인상이 하반기 실적의 핵심 촉매 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi